Criado transístor de um único átomo - Exame Informática

Criado transístor de um único átomo

Investigadores da Universidade de Nova Gales do Sul, Austrália, desenvolveram transístores com um único átomo através de um método de produção que é replicável.

20/02/2012 09:39:32

As imagens que mostram os componentes de um transístor de um único átomo
 

Num artigo publicado na Nature Nanotechnology, os investigadores australianos revelam ter desenvolvido uma técnica que permite produzir, com elevada precisão, transístores com um único átomo.

Os mentores do projeto acreditam que a nova técnica de produção pode ser aplicada, em breve, pelas fabricantes de processadores e, assim, contribuir para a miniaturização dos mais variados chips.

A investigação agora anunciada vem dar seguimento ao trabalho realizado há dois anos por uma parceria que envolveu as Universidade de Nova Gales do Sul, a Universidade de Melbourne e a Universidade de Helsínquia. Segundo o Cnet, a nova categoria de transístores foi produzida com o recurso de a um microscópio de corrente de tunelamento que permite controlar a posição de átomos sobre um determinado espaço.

Neste projeto, foi usada uma superfície de cristais de silício que, depois de ser sujeita a um processo litográfico que serve de configuaração ao transístor, recebeu átomos de fósforo.

Uma vez que o transístor é a unidade modular dos processadores e dos chips em geral, os investigadores australianos acreditam que a nova técnica de produção possa ajudar a manter válida a famosa Lei de Moore, que estipula que, sempre que passam 18 meses, a indústria consegue duplicar o número de transístores inseridos no espaço usado por chip.

Além da lei que tem o nome de um dos fundadores da Intel, os investigadores australianos acrditam que os transístores atómicos podem servir de ponto de partida para o desenvolvimento de computadores quânticos.

Palavras-chave do artigo
chips, ciência, investigação, processadores, tecnologia, transístor, transístores, universidades, átomos

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Há aqui qualquer coisa que não bate muito certo.
Diz-se que se podem construir transistores com um único átomo, mas ao mesmo tempo se vai dizendo:
"Neste projeto, foi usada uma superfície de cristais de silício que, depois de ser sujeita a um processo litográfico que serve de configuaração ao transístor, recebeu átomos de fósforo."
Mas essa já é a técnica actual de construção de transístores que consiste na dopagem (com fósforo) de materiais intrínsecos (silicio cristalino).

Depois, se estamos a falar de transistores com um único átomo, qual são os átomos utilizados: os de silício ou fósforo?
Por outro lado, se se trata de um único átomo a fazer as vezes de um transístor, onde ficam a Porta, a Fonte e o Dreno dos transístores?

Parece-me que se trata de algum sensacionalismo.

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Quase nenhum leitor sabe o que é um transístor e por causa disso eles tomam a liberdade de fazer notícias parvas e sensacionalistas.

Se pelo menos houvesse alguma forma de punir este tão mau jornalismo que em vez de informar só manipula e distorce com objectivos pouco claros...

Se isto é uma revista de tecnologia tem de ter jornalistas com conhecimentos técnicos dos mais básicos... Até em cursos de informática se dá a base da electrónica... Portanto a falta de formação dos jornalistas nunca poderá servir de desculpa.

Volto assim ao veredicto de que é manipulação descarada com objectivos sensacionalistas com o objectivo do lucro pelo numero de visualizações que serão pagas depois pelas empresas que nos inundam com esta publicidade da treta.

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Olha outro!!
http://www.nature.com/nnano/journal/vaop/ncurrent/full/nnano.2012.21.html
Vá lêr o artigo à fonte mencionada, em vez de vir para aqui vomitar asneiras. Se não lhe agrada a Exame Informatica, NÃO LEIA!! Certamente existem bastantes novelas com que se entretenha.

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Por acaso, algum dos senhores foi ler o artigo que se encontra na fonte mencionada?
Sensacionalismo? Que nome se dá a quem critica sem se informar?! Va la ler o artigo na referida revista. Sinceramente, parece que o obrigam a ser leitor da Exame Informatica. Não gosta, tem bom remédio, não leia!
Ele há com cada um...

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eh pá, tanta azia! Correu mal o dia?
Vamos por partes:

Ponto um: a EI é uma boa revista de informática, o que não invalida que não possa cometer erros. Até porque eu não disse que o sensacionalismo teria partido da EI. Leio e vou continuar a ler!

Ponto dois: o que eu disse é que com um átomo isolado não se pode ter um transístor. Lendo a notícia fonte, é isso que lá fala. Cada átomo de silicio comporta-se como um transístor na PRESENÇA do dopante. Ou seja, o somatório dos átomos ainda é muito maior que o somatório dos transístores.
Quanto à tecnica de construção também não é nova. A novidade é que ao contrário do que se fazia até agora (e que não foi explicado nesta notícia) é que os elementos dopantes não são colocados de forma aleatória mas determinística.
Portanto, o meu comentário não foi assim tão estúpido, mas cada pensa como lhe convém.

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